三星8月25日表示，为扩大产能，计划再兴建一座12寸晶圆厂，采用65纳米制程生产NAND型闪存等产品。 　　三星美国子公司Samsung Semiconductor Inc. 技术行销副总Jon Kang指出：“我们将兴建新的65纳米生产线。”公司正积极研发70纳米以下产品，包括一8GB闪存装置。 　　三星一发言人表示，这座12寸厂盖好也是好几年以后的事，除此之外并未透露更多内容。Samsung目前在京畿道华城市有一座12寸厂，采用新的100纳米制程生产新款DDR2芯片。这座工厂也生产2GB flash，但使用的是90纳米制程。 　　Kang表示，2GB将公司今年主力产品，公司也正努力研发4GB和8GB的NAND flash。初期产品将使用70纳米以下制程。首批产品是8GB NAND，样品应可在年底发表，但要到2006年才会量产。 　　三星为维持市场领先地位积极扩张产能。Kang表示：“我们的目标是每年将产品容量提高1倍。” 　　据市场研究公司iSuppli的最新报告，三星虽然在全球flash市场坐稳首位，但第二季度flash销售比第一季度减少4.6%，市占率由23.6%降至21.2%。