5月23日获悉，中国科学院北京半导体研究所(ISCAS)采用他们提供的Thomas Swan MOCVD设备开发出世界首个近紫外波长的半导体激光器。 据介绍，中科院半导体所2年前安装此设备，主要用于GaN器件的研究。经过2年多时间的努力，在集成光电子国家重点实验室杨辉教授的带领和陈良惠教授带领的另外一个组的配合下，他们成功开发了中国大陆第一个近紫外光的半导体激光器。这种激光器采用5周期InGaN/GaN 多量子阱结构作为有源层，AlGaN/GaN超晶格作为包层，光波长为410nm。