美海军研究办公室授予美道康宁公司360万美元的合同研制半导体碳化硅（SiC）材料技术。道康宁半导体公司将利用这笔经费提高其制造直径为100mm的器件品质的碳化硅基层的能力。 碳化硅材料是继第一代硅材料和第二代砷化镓（GaAs）材料后发展起来的第三代半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点，它将逐步取代现有的硅和砷化镓器件。 碳化硅材料技术在军用和航天领域的高温、高频、大功率电子系统方面具有优越的应用价值，例如美海军高性能先进雷达系统、电池电话基本系统、混合电子车辆及功率栅格网络等。 另外，利用碳化硅材料制成的RAM芯片在速度和存储密度方面，与当前计算机中使用的RAM内存芯片相当，但能够在没有电源的情况下保存数据，且计算机能够在瞬间启动起来。