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美日联手开发32纳米集成电路 （2006-01-23）

发布时间：2007-12-04 作者： 来源：经济参考报 浏览：1194
　　日本索尼、东芝和美国ＩＢＭ公司最近宣布将在半导体的微细加工方面加强合作，联手共同开发32纳米的下一代大规模集成电路，并计划在2013年投放市场，与韩国三星电子和美国英特尔公司展开竞争。 　　集成电路和存储器半导体的线路越细微，就越能使电器产品更加趋向小型化，并且还能够提高产品的性能。目前，日本主流集成电路半导体线路为90纳米，最尖端的为65纳米。
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