英特尔周三表示，已经制造出了45纳米测试芯片，可能将在2007年下半年开始45纳米处理器、闪存芯片的发货。 　　英特尔本月创造出的这种芯片是静态SRAM内存芯片，容量为153兆，包含十多亿个半导体，与英特尔2000年生产的包含1800万个半导体的130纳米内存尺寸差不多。虽然仅仅是测试芯片，但是这表明英特尔的整体制造战略仍然按计划进行。 　　45纳米芯片很有意义，许多专家都预测这将是多年来最困难的芯片之一，发热量和性能要求都会很高，英特尔管理人员波尔表示：“这每次都增加一些困难，但是我们采用了新技术和方法。” 　　英特尔考虑在2009年推出32纳米芯片，可能会采用浸入蚀刻法，EUV可能用于2011年开始的22纳米芯片的制造。