继2004年7月率先在国内获得光泵浦GaN基激光器受激发射之后，日前，北京市2003年度科技计划项目??“氮化镓基蓝紫激光器的研制”再次获得重大突破：首次实现了波长为405nm左右的电注入脊型波导GaN基激光二极管的受激发射，成为目前我国大陆实现的波长最短的半导体激光器，为我国在实现GaN基激光器零的突破方面做出了重要贡献。 　　自承担课题任务起，北京大学针对宽禁带半导体氮化镓基激光器的难点，进行了氮化镓基激光器外延和器件结构的计算和优化设计、MOCVD外延生长和表征、器件微加工技术和谐振腔结构等方面的探索和研究，在GaN基材料系量子阱和超晶格与波导结构MOCVD生长、窄波导激光二极管器件制备等关键性科学和技术问题方面取得一系列进展。特别是在GaN基结构的阴极荧光(CL)分析，氮化镓基激光器腔镜面研究和应用(包括采用激光剥离技术获得高质量的氮化镓基解理腔镜面以及基于光子晶体的谐振腔镜面)等有特色的研究方面取得重要进展和突破。此次实现氮化镓基激光二极管电注入激射时所用波段的激光正是用于下一代“蓝光DVD”光盘系统的光源。目前，系统相关测试工作正在抓紧进行之中。 　　GaN 基激光器是波长最短的半导体激光器，波长为405nm范围的蓝-紫光GaN基激光器是发展下一代大容量高密度光存储信息技术的关键性器件。它在国防建设、生物、环境、照明、显示、打印和医疗等领域，具有广阔的应用前景和巨大的市场需求。